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R显带技术法

相关实验:染色体显带实验

最新修订时间:

简介

R显带技术是指将染色体玻片标本经热磷酸盐缓冲液处理后,再用吉姆萨染色。R显带产生的带纹与 G显带相反,故称为反带(reverse band)。R显带染色体末端着色,容易检测出染色体末端的畸变。

原理

R显带技术法的基本原理是将染色体玻片标本经热磷酸盐缓冲液处理后,再用吉姆萨染色。R显带产生的带纹与 G显带相反,故称为反带(reverse band)。

材料与仪器

步骤

R显带技术法的基本过程可分为如下几步:


A 常规制片后,一般将标本(未染色的白片)置于 37 ℃ 培养箱中老化 3~7 d 再进行显带;若急用,则置 60 ℃ 烘烤 8~10 h 或 75 ℃ 烘烤 2 h,然后置 37 ℃ 温箱备用。


B 将染色体玻片标本浸在 88 ℃ 预热的 1 mol/L NaH2PO4 缓冲液中 10 min。


C 用蒸馏水冲洗染色体玻片标本。


D 将玻片标本放入新配制的吉姆萨工作液中染色 10 min。


E 流水轻轻冲洗玻片背面,将多余的吉姆萨染液冲掉。


F 空气干燥。


G 先用低倍镜浏览整张染色体玻片标本,再用油镜观察并识别染色体 R显带核型。

来源:丁香实验

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