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CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨

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  • 江蓝纯
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  • JC-A08293
  • 2025年07月16日
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      常温干燥避光

    • 英文名

      Single Layer WS2 on SiO2/Si

    • 库存

      102

    • 供应商

      上海机纯实业有限公司

    • CAS号

      7440-44-0

    • 规格

      1 盒

    中文名称: CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨

    英文名称: Single Layer WS2 on SiO2/Si

    CAS号:7440-33-7

    包  装: 1 盒

    保质期:  6月常温干燥避光

    性  质

    形  态: 薄膜

    参  数

    基  底: 二氧化硅/硅

    氧化层: 300nm

    基底尺寸: 9 mmx9 mm

    WS2片径大小: 20-50 µm

    厚  度: 0.6~0.8 nm

    应  用: 该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。

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    • 常见的环境污染性疾病防制

      结合,影响氧从毛细血管弥散到细胞线粒体;和还原型细胞色素两价铁结合,阻断电子传递,抑制细胞的氧化和呼吸。   HbCO形成引起动脉血氧量降低,导致对缺氧最敏感的中枢神经系统能量供应障碍,使大脑和基底神经节,尤其是苍白球和黑质发生变性、软化或坏死,出现以中枢神经系统损害为主伴不同并发症的症状与体征。主要表现为剧烈的头痛、头昏、四肢无力、恶心、呕吐;出现短暂昏厥或不同程度的意识障碍,或深浅程度不同的昏迷,皮肤粘膜呈樱桃红色。重者并发脑水肿、休克或严重的心肌损害、呼吸衰竭。CO中毒可出现以锥体

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