CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨

CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨

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  • 江蓝纯
  • 国产
  • JC-A08293
  • 2025年07月16日
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      常温干燥避光

    • 英文名

      Single Layer WS2 on SiO2/Si

    • 库存

      102

    • 供应商

      上海机纯实业有限公司

    • CAS号

      7440-44-0

    • 规格

      1 盒

    中文名称: CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨

    英文名称: Single Layer WS2 on SiO2/Si

    CAS号:7440-33-7

    包  装: 1 盒

    保质期:  6月常温干燥避光

    性  质

    形  态: 薄膜

    参  数

    基  底: 二氧化硅/硅

    氧化层: 300nm

    基底尺寸: 9 mmx9 mm

    WS2片径大小: 20-50 µm

    厚  度: 0.6~0.8 nm

    应  用: 该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,CVD二氧化硅硅基底单层二硫化钨是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。

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