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- 英文名:
High purity silver nanowires
- 供应商:
先丰纳米XFNANO
- 库存:
大量
- 规格:
500mg/瓶
银纳米线除具有银优良的导电性之外,由于纳米级别的尺寸效应,还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料,为实现柔性、可弯折LED显示、触摸屏等提供了可能,并已有大量的研究将其应用于薄膜太阳能电池。此外由于银纳米线的大长径比效应,使其在导电胶、导热胶等方面的应用中也具有突出的优势。
先丰纳米在银纳米线的制备技术上有着非常顶尖的技术,我们现在可以提供水、乙醇及丁醇的银纳米线分散液,并可按客户需要定做浓度尽可能大的液体分散液。所制备产品受到美国、德国、荷兰顶尖国际公司的欢迎和使用。我们还可以定做40-50nm的银纳米线(Silver Nanowire),长度:10~20μm。请点击资料下载,查看详细介绍。
XFNANO银纳米线产品及应用
| Products | Average Diameter/nm | Average Length/μm | Appearance |
| Agnws-60 | 60 | 20 | Dispersion Liquid |
| Agnws-120 | 120 | 20 | Dispersion Liquid |
| Agnws-200 | 200 | 25 | Dispersion Liquid |
| Agnws-300 | 300 | 30 | Dispersion Liquid |
| Agnws-400 | 400 | 30 | Dispersion Liquid |
银纳米线由于其优越的大长径比和物理性能一跃成为近年来科研和应用研究的热点。各权威杂质争相报道有关银纳米线的研究成果。多家国际级的公司巨头也纷纷投入到银纳米线产品的研发当中。银纳米线被认为是可以取代传统ITO导电玻璃的最佳替代材料。很多技术专家相信在不久的将来银纳米线产品将呈爆炸式的趋势介入电子产品领域,一个新兴的材料产业正在形成。
有关银纳米线的研究报道近年来层出不穷。多数工作围绕银纳米线的耐弯折和优异的透光性能而展开,将银纳米线与树脂基体复合成为透明导电薄膜。而复合的工艺也多种多样。Liu[1]等利用Rod-coating的方法将银纳米线复合到PET基体上,形成透明导电薄膜。具有优良的导电和柔软性。
Yu[2]等利用树脂交联固化的方法将银纳米线固定在基体的表面,得到了复合的透明电极,并成功应用于有机发光二级管中。
Zeng[3]等制作的将银纳米线包埋于PVA树脂基体表面的透明薄膜电极具有良好的电性能及抗剥离性能。并测试了其透光率随银纳米线用量的变化。
应用方面东丽和东丽薄膜加工开发出了使用银线的透明导电薄膜,该导电薄膜将应用于智能手机和平板终端上越来越多配备的静电容量式触摸面板用透明电极。开发品的全光线透射率为90~91%,表面电阻率为150~250Ω/□,雾度为0.9~1.3%。基于这些特性,其特点是“与ITO相比,不容易看出布线形状”(东丽薄膜加工产品开发中心主任研究员渡边修)。可以采用普通的光刻技术来形成布线。
大阪大学产业化研究所的菅沼研究室开发出了可在类似于PET的低耐热性塑料基板上形成透明电极的技术,并在“Printable Electronics 2011”(2011年2月16~18日,东京有明国际会展中心,与“nano tech 2011国际纳米科技综合展暨技术会议”同时举行)上进行了展示。大阪大学已经确认,该技术可确保与原来相同的透明性和导电性,即使弯折也不会出现电阻上升等问题。目标是应用于有机EL照明展品以及有机太阳能电池等柔性元件专用的透明电极中。此次,大阪大学开发出了采用银纳米线、但可省去烧结工序的技术。具体方法是,清洗分散在PVP中的银纳米线,将银纳米线上附着的PVP量减至最低。由此,可省去在涂布后蒸发PVP的烧结工序。涂布后只实施冲压工序便实现了希望的透明性和低电阻。关于清洗工序,大阪大学称已对其进行了优化,不过未公布详情。
银纳米线的应用类型:
(1)导电类产品:如应用于薄膜太阳能电池,或用于制作透明电极等;
(2)抗菌类产品:银纳米线便于共纺,并且抗菌持久性强;
(3)化妆品:吸收紫外线强,并且对人体安全;
(4)生物医药:可用做药物载体,生物传感器等;
(5)玻璃工业:吸收紫外线强;
(6)催化工业:高比表面积,催化活性更高;
(7)光学应用:独特的光学效应,用于基于表面等离子体共振的研究中。
References:
(1)Liu, C. H.; Yu, X. Nanoscale Research Letters 2011, 6.
(2)Yu, Z. B.; Zhang, Q. W.; Li, L.; Chen, Q.; Niu, X. F.; Liu, J.; Pei, Q. B. Adv. Mater. 2011, 23, 664.
(3)Zeng, X. Y.; Zhang, Q. K.; Yu, R. M.; Lu, C. Z. Adv. Mater. 2010, 22, 4484.
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