超薄转移AAO膜 孔间距100-110 nm

冷冻蚀刻技术概述及应用

-3Pa(1×10-5～3×10-5Torr)，样品升温至-100℃～-110℃。 3.蚀刻就是在真空中使冷冻样品表面上的冰升华。目的是为了暴露出样品断裂面上的超微结构，便于喷镀。一般认为最佳蚀刻深度约为30nm。若蚀刻深度不够，结构被冰掩盖不能充分暴露出来，图像模糊;若蚀刻深度过大，超微结构因其基础支持不足而倒塌，从而破坏了超微结构。蚀刻深度是由蚀刻速度和蚀刻时间决定的，而蚀刻速度是受真空度、温度、水蒸汽压所影响。一般蚀刻条件：真空度为133×10-3～133×

Western 实验步骤

80 V)要低于分离胶电泳电压(建议 110-150 V)，以达到更好的浓缩效果，使样品进入分离胶时被压缩在同一水平线上。电泳直至溴酚蓝染料前沿下至凝胶末端处停止电泳，电泳时间约 2-3 小时。 电转（湿转法） 1） 电泳结束后取出凝胶，在电泳缓冲液中（冷藏的）漂洗数秒。按“三明治”模式，打开电转印夹，每侧垫上一块专用的转膜液浸泡透的海绵垫，再各放一块转膜液浸透的蛋白转移垫(定性滤纸），将凝胶平放在阴极侧滤纸上，最后将转膜液浸透并事先用甲醇浸泡的 PVDF 膜平放在凝胶上，去除气泡，夹好电

了解核酸分子杂交

，所以最为常用。常用的固相杂交类型有：菌落原位杂交、斑点杂交、狭缝杂交、Southern 印迹杂交、Northern 印迹杂交、组织原位杂交和夹心杂交等。固相膜核酸分子杂交1. 菌落原位杂交（Colony in situ hybridization）将细菌从培养平板转移到硝酸纤维素滤膜上，然后将滤膜上的菌落裂菌以释出 DNA，再烘干固定 DNA 于膜上，与 32P 标记的探针杂交，放射自显影检测菌落杂交信号，并与平板上的菌落对位。2. 斑点杂交（Dot blotting）该方法是将被检标本点到膜上，烘烤