光刻机/曝光机(Mask Aligner)

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  • 2025年07月15日
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    仪器介绍

    又名:掩膜对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机等;

    全球领先的半导体设备供应商,多年来致力于掩膜对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;依优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。

    相关设备:

    甩胶机,甩膜机,涂胶机,旋转涂膜机,匀膜机,清洗机,显影机等;

    技术参数

    基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他要求支持;

    光束均匀性:<±3%;

    曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;

    对准精度:1微米,最高0.5微米;

    分辨率:1微米;

    光束输出强度:15-25mW/cm2;

    主要特点

    光源强度可控;

    紫外、深紫外曝光;

    系统控制:手动、半自动和全自动控制;

    曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity靠近模式, 投影模式;

    真空吸盘范围可调;

    专利技术:双面对准!

    双重显微镜系统,最大放大1600倍;

     

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