Nissui 日水培养基 改良GAM琼脂培养基 G

Nissui(日水)培养基 可高压灭菌 细胞后期传代表现优异

产品编号：ZZM-05424
中文名称：改良GAM琼脂培养基
英文品名：GAM Agar, Modified
包装规格：100g
用途：
1、厌氧性细菌用
2、用于普通的培养、敏感性试验

使用方法:
加温溶解后，在试管（1.5×15cm或者0.9×15cm）内装入一半或者一半多。在115℃下进行15分钟的高压蒸汽杀菌后再进行急剧冷却作为高层培养基。
将GAM琼脂培养基中的琼脂减量作为半流动高层培养基，厌氧性细菌以及通性厌氧性细菌可以得到良好的发育，适用于对血液、穿刺液以及其它各种检查材料进行培养、厌氧性细菌的增菌以及保存。
本培养基的最大特点是厌氧性细菌直接在空气环境中培养时也可以得到良好的发育。此时，厌氧性细菌仅在培养基的下层发育。好氧性细菌在培养基上层发育，而通性厌氧性细菌则在培养基的任何地方都发育良好。

贮藏方法、使用期限:
室温下保存（需要防潮）。3年。

备注:
微生物检查指针（2004）

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