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- 详细信息
- 技术资料
- 库存:
315
- 保质期:
1年
- 供应商:
上海晶抗生物工程有限公司
- 保存条件:
常温干燥避光密封保存
中文名称: 单层氮化硼薄膜(HBN)SiO2/Si基底
英文名称: Monolayer boron nitride film(HBN)
货 号: ML1171
CAS号: 7440-42-8
包 装: 4英寸/ 6英寸
参 数
4英寸圆片,SiO2/Si基底
6英寸 圆片,SiO2/Si基底
保质期: 1年常温干燥避光密封保存
单层氮化硼薄膜(HBN)SiO2/Si基底性 质
覆盖率:
基 底: SiO2/Si
晶粒尺寸: >4 um
氧化层: 300 nm
硅: 500 um
应 用: 单层氮化硼薄膜(HBN)SiO2/Si基底可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层,以及电子的隧道阻挡层,使其具有广泛的应用,例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。
其他信息: 常温干燥避光密封保存,保存期限1年。
英文名称: Monolayer boron nitride film(HBN)
货 号: ML1171
CAS号: 7440-42-8
包 装: 4英寸/ 6英寸
参 数
4英寸圆片,SiO2/Si基底
6英寸 圆片,SiO2/Si基底
保质期: 1年常温干燥避光密封保存
单层氮化硼薄膜(HBN)SiO2/Si基底性 质
覆盖率:
基 底: SiO2/Si
晶粒尺寸: >4 um
氧化层: 300 nm
硅: 500 um
应 用: 单层氮化硼薄膜(HBN)SiO2/Si基底可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层,以及电子的隧道阻挡层,使其具有广泛的应用,例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。
其他信息: 常温干燥避光密封保存,保存期限1年。
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