Dravet综合征小鼠模型中Parvalbumin中间神经元电压门控钠通道亚基的补偿性重排

编码电压门控钠通道（VGSC）孔形成（α）亚基NaV1.1的基因SCN1A的杂合功能丧失型变异可导致一系列神经系统疾病，包括Dravet综合征。NaV1.1主要表达于快速放电的γ-氨基丁酸能parvalbumin阳性抑制性中间神经元（PV+INs）的轴突初始段（AIS）近端。在Dravet综合征（Scn1a+/−单倍剂量不足）小鼠中，出生后发育期间PV+INs的动作电位放电受损；然而，在成年动物中，PV+IN快速放电频率已恢复。我们使用详细的免疫组织化学和显微镜技术探究这种功能恢复的机制，研究其他脑表达的VGSC亚基在PV+IN AIS处可能的上调。我们发现，与野生型相比，成年（但非发育期）Scn1a+/−小鼠PV+INs的AIS处NaV1.6免疫荧光特异性上调，而其他脑表达亚基NaV1.2或NaV1.3无上调。这些结果表明，癫痫相关基因变异体通过一种机制重组发育中的大脑，并引发可能至少部分补偿性的内源性变化。