人工耳蜗植入术中双位点耳蜗电图监测以提供手术反馈

引言：近年来，为减少人工耳蜗植入手术创伤和保留残余听力，术中耳蜗电图监测得到了广泛应用。然而，耳蜗内信号发生器分布的差异使得在电极阵列插入过程中信号变化的解释变得复杂。这项探索性研究旨在探究同时记录耳蜗内两个位置的信号是否能解决此问题。具体通过（1）比较无创伤电极阵列插入过程中，从耳蜗顶区和更靠基底区的电极接触点同时获取的记录；以及（2）将这些响应模式与术前纯音听力图进行比较。 材料与方法：在10名标准人工耳蜗植入者中，在逐步插入一个短时临时电极阵列的过程中获取了耳蜗电图记录。使用500 Hz短纯音刺激，从相距4.2毫米的两个接触点同时获取耳蜗内记录。对于两个电极接触点，分别计算对交替极性刺激响应的差值，即“耳蜗电图响应”。记录完成后，移除临时电极阵列，并植入标准人工耳蜗电极阵列。 结果：在10名参与者中的6名中，在更靠基底区的电极接触点记录到耳蜗电图响应振幅下降≥3 dB。在4例中，这些振幅下降之前，在耳蜗顶区电极接触点记录到了振幅下降，两者沿耳蜗管的发生位置相距不超过1.7毫米。创伤预计会在两个电极的不同记录位置产生同步的振幅下降。相反，在基底电极记录到振幅下降之前，耳蜗顶区记录的耳蜗电图振幅先出现下降，且两者下降发生在近似相同位置，则很可能是非创伤性的。这些非创伤性下降也可能与较大的相位偏移相关。总体而言，在耳蜗顶区和更靠基底区接触点记录的耳蜗电图响应轨迹相似，而耳蜗电图响应模式与听力图之间未显示出强烈的相似性。 结论：所提出的方法有助于检测与预测人工耳蜗植入术中听力保留相关的耳蜗电图响应变化。通过区分同步和顺序发生的振幅下降，该方法可为某些耳蜗电图响应变化的非创伤性本质提供额外的见解。