3T下深部脑刺激患者的植入友好型MRI

引言：携带深部脑刺激（DBS）植入物的患者进行MRI检查因射频加热而存在显著安全风险。先前利用固有成像伪影的电流测量方法，通过双发射通道系统，沿单个电极减轻感应电流。本研究将其扩展到双侧DBS配置，并在单侧和双侧患者中展示了简化的植入友好型（IF）优化。方法：优化双侧IF模式，以减少两个电极上的RF感应电流，同时最大化整体B1，并在人形头部体模中进行了验证。在三位DBS患者（一例双侧，两例单侧）中演示了确定电极特异性和双侧IF模式的成像工作流程。使用2D-TSE比较了圆极化（CP）和IF模式的图像质量和伪影减少情况。结果：体模研究证实了IF优化的加热减少能力。在体模和患者研究中均观察到RF伪影减少。在单侧DBS病例中，IF优化完全消除了感应电流，而在双侧病例中，与CP激励相比，电流减少了高达74%。预扫描成像的总主动扫描时间小于6分钟。预扫描方案中的所有测量均直接在MRI控制台上进行，所需外部硬件极少。结论：本研究展示了一种实用的工作流程，用于DBS植入患者的实时电流分析和IF模式优化，有效减少RF感应加热和伪影，同时保持成像性能。