- ￥7500
- 中科雷鸣
- 北京
- ZK172
- 2025年11月26日
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- 详细信息
- 技术资料
- 保存条件：
常温
- 保质期：
3年
- 英文名：
Single Layer WSe2 on SiO2/Si
- 库存：
5000
- 供应商：
中科雷鸣（北京）科技有限公司
- CAS号：
/
- 规格：
1片
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
英文名称：Single Layer WSe2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底尺寸：9 mmx9 mm
WSe2片径范围：20-50 μm
氧化层：300nm
厚度：0.6-0.8 nm
应用
CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料
英文名称：Single Layer WSe2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底尺寸：9 mmx9 mm
WSe2片径范围：20-50 μm
氧化层：300nm
厚度：0.6-0.8 nm
应用
CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料
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CVD 二氧化硅基底单层二硒化钨
￥7500
