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二手仪器 赛默飞Thermo
iCAP Q ICP MS1
1年
现货
美国
iCAP RQ ICP-MS 配置和性能指标
配置
雾化器:硼硅玻璃
雾化室:石英,旋流
等离子炬:石英,可装载,无屏蔽
进样器:石英,2 .5 mm内径;选项为:1 .0和2.0mm内径
采样锥/接口: Ni锥,耐受高盐基质的接口;选项为:Ni锥,耐受的接口(已提供)和高灵敏度的
数字控制等离子体气流:3路
增加的质量流量控制器(如:用于有机物进样的O2,用于激光剥蚀进样的He):可选(两个)
iCAP RQ配置 | C1 | C2 |
氦碰撞池质量流量控制MFC | 有 | 有 |
增加的池MFC,如H2/He, O2等 | *FUO | 有 |
STD模式:
标准模式灵敏度 kcps/ppb |
|
7Lib | 55 |
59Cob | 100 |
115Inb | 240 |
238Ub | 330 |
检出限(ppt)a/ng/L | |
9 Be | < 0.5 |
115 In | < 0.1 |
209 Bi | < 0.1 |
氧化物占比(%) | |
CeO/Ceb | <2 |
双电荷占比(%) | |
Ba++/Ba+b | <3 |
随机背景(cps) | |
m/z 4.5b | <1 |
稳定性 (%RSD) | |
短期b | <2 (10分钟) |
长期 | <3(2小时) |
同位素比率精度(%RSD) | |
107Ag/ 109Ag | <0.1 |
He KED 模式 | |
灵敏度(kcps/ppb) | |
Cob | 30 |
背景(cps) | |
m/z 4.5b | < 0.5 |
* FUO - 现场升级选项
a 典型值,依赖于化学品的清洁程度
b 安装演示
注意:只在上表列出的缺省样品进样的组分中,可以做出安装指标
样品引入:
接近:台阶高度,等离子体炬轴线平行于台阶,最小的距离
蠕动泵:软件控制的12辊,4通道微型泵,惰性辊,低脉动;三个停止扩口式PVC(聚氯乙烯)材质泵管为标配
雾化器:同心硼硅玻璃,400 µL/min 流速; PFA 和高TDS选项
雾化室:
高纯度石英旋流型雾化室;PFA可选;
兼容于所有的6mm外径的雾化器
帕尔贴制冷:软件控制范围:–10 °C ~ +20 °C
进样器:
螺钉式(screw-in),自准直
无需O形环
宽的2.5mm内径石英作为标配
可选的内径和进样材料
等离子体源
等离子体炬
推入式(Push-in),单片,石英
自动连接气路
平行和垂直的位置:+/- 2 mm, 0.02 mm步进宽度
采样深度:0-15 mm, 0.025 mm 步进宽度
RF发生器
数字,固态RF发生器,~27MHz
动态摆频匹配
RF功率范围:400W~1600W(缺省热等离子体功率为1550W)
无需等离子体屏蔽
在热和冷等离子体之间自动进行样品内切换
Load coil 负载线圈
水冷,表面镀银的铜负载线圈
氩气流量控制:
冷却液,辅助,雾化器(Ar)
增加的质量流量控制器
可以增加两个MFCs,用于气体稀释,加氧,激光剥蚀等
等离子电视:
HD相机,远程监控等离子体状态
接口
接近:台阶高度,易于打开下落的门来接触维护
采样锥:固体Ni,1.1mm孔径;Pt tipped为选项
截取锥:Ni,0.5mm孔径;Pt tipped为选项
截取锥嵌入片:用于高基体的嵌片作为标配;提供耐用的接口选项;和高灵敏度的选项
接口泵:外部,高性能旋转泵
提取透镜:单个,低电压,圆锥
滑动阀:PC控制
离子光学
RAPID透镜:90度离子透镜,操作在单个固定电压下
电子连接:无缆,固定位置,弹簧安装的黄金触点
碰撞/反应池
QCell:
非消耗品,零维护
自动进行低质量cut off
标配的MFC:纯He碰撞气
可选的MFC:反应气体混合物: O2, NH3/He, H2/He
四极杆质量分析器
场:虚拟的双曲面场
频率:2 MHz
质量范围:2-290u
扫描速度:>3700 amu/秒,Li~U带40个区间质量
质量稳定性:< ± 0.025每天
丰度灵敏度:< 0.5 ppm 在 m-1 (m= 238U)
分辨率:用户可定义
离子检测系统
检测器:
双模式离散打拿极电子倍增器
在4个数量级上同时进行脉冲/模拟检测
简化交换的摇篮设计
最小驻留时间:100 µs 脉冲和模拟
动态范围:>9个数量级(< 1 - > 1·109 cps)
真空系统
配置:三阶,差分泵
真空泵
分流分子涡轮泵
外部后部的机械泵(一般的接口)
抽真空时间:在维护后<15分钟,可抽到< 1·10-6 mbar
环境要求
温度范围:15-35℃;温度变化率:< 2 °C/小时
湿度范围:20-80%(无冷凝)
供电:200-240 V AC, 50/60 Hz 单相
功率: Apparent表观: 3000 VA; Effective有效: 2200 W
冷却水:
温度: 20 ~ 30 °C, 优化为21 °C
供应流速:> 5.5 L/min
氩气
纯度:> 99.996 %
流速:最大24 L/min
压力:0.55 - 0.6 MPa (5.5 - 6.0 bar; 82.5 - 90 psi)
碰撞池/反应池气体
纯度:> 99.999 %
流速:最大10 L/min
压力:0.1 - 0.15 MPa (1 - 1.5 bar, 15 - 22.5 psi)
等离子体排放:
Port 端口尺寸:60.3 mm (推荐为 63 mm ID ducting)
流速(63 mm ID ducting):6 - 8 m/s (67 - 90 m3/h; 39.4 - 53.0 cfm)
氦气排放
Port 端口尺寸:60.3 mm (推荐为 63 mm ID ducting)
流速(63 mm ID ducting):4 - 6 m/s (45 - 67 m3/h; 26.5 - 39.4 cfm)
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