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微波等离子去胶机

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  • Alpha Plasma
  • 德国
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  • 2025年07月16日
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    去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后,都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净彻底、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。德国ALPHA PLAMSA拥有多年的去胶经验,致力于给您提供专业的微波等离子去胶机系统,并提供专业的技术支持服务。

    桌面式微波等离子体去胶机 立式微波等离子体去胶机

    产品优势:

    • 去胶快速彻底

    • 对样片无损伤

    • 操作简单安全

    • 设计紧凑美观

    • 产品性价比高

    产品用途:

    • 高剂量离子注入光刻胶的去除

    • 湿法或干法刻蚀前后的去残胶

    • MEMS中牺牲层的去除

    • 去除化学残余物

    • 清除浮渣工艺

    SU-8胶的去除:

    MEMS工艺中经常用到SU8光刻胶,然而SU8非常稳定,其最致命的缺点就是去胶困难。为了解决SU-8光刻胶的去胶问题,我们向您推荐德国Alpha Plasma专业的SU-8微波等离子体去胶机,该设备采用氟基气体的去胶工艺,利用氟基气体与SU-8胶的化学反应,实现快速去除SU-8功能。同时设备中还集成了温控系统,去胶过程中对衬底温度的控制保证了高深宽比金属结构的完整性,最终实现高质量MEMS器件的制备。SU-8去胶速率验收指标为1μm/min,实验中可达到几个微米。因此这款专业的SU8去胶机是MEMS去胶工艺的理想选择。



    更多微波等离子去胶机介绍,请查看:http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=400

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    • 光谱分析仪器

      的测定;难激发元素的测定;较适合于分析低熔点的试样。 4、电感耦合高频等离子体焰炬 ICP光源上世纪六十年代提出,70年代获得迅速发展的一种新型的激发光源。被认为是最有发展前途的光源之一,目前已在实际中得到广泛应用。①.等离子体 :等离子体是一种电离度大于0.1%的电离气体,由电子、离子、原子和分子所组成,其中电子数目和离子数目基本相等,整体呈现中性。 最常用的等离子体光源是直流等离子焰(DCP)、电感耦合高频等离子炬(ICP)、容耦微波等离子炬(CMP)和微波诱导等离子体(MIP)等。 ②

    • 处理物化生化前瞻性技术研究

      出比通常的UVC光催化效率提高了60-300%真空紫外光催化氧化水处理装置;发明菌丝体表面包覆生物吸附剂和改善菌丝体水处理剂等分子印迹吸附剂,对水中重金属污染物吸附水平比常规吸附剂成倍提高;开发出催化铁内电解法,实现电化学与催化过程的有机协同;制备出以Al13为优势形态的纳米聚合氯化铝絮凝剂,设计出制备纳米絮凝剂的化工-电化学-膜法集成反应器系统。       (3)物化组合和物化-生物组合反应器    初步建立了以微波放电等离子体技术为核心的水处理物化组合系统,在微波等离子体光源研制

    • 气相色谱法术语(三)

      器(FPD):flame photometric detector. 将含硫或含磷的化合物在富氢火焰中产生的特征波长的光能转化为电信号的检测器。 13、 电子俘获检测器(ECD):electron capture detector. 载气分子在3H或Ni63等辐射源产生的β粒子的作用下离子化,在电场中形成稳定的基流,当含有电负性的基团的组分通过电场时,俘获电子使基流减小而产生电信号的器件。 14、 微波等离子体(发射光谱)检测器:microwave plasma(emission

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