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- 技术资料
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大量
- CAS号:
7440-33-7
- 规格:
1 盒
产品名称
中文名称: 机械剥离二氧化硅基底二硫化钨
英文名称:Mechanical exfoliation WS2 on SiO2
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化硅
基底尺寸:10 mmx10 mm
WS2面积:>10 μm2
应用
先丰纳米最新推出机械剥离制备的二硫化钨,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料。
其他信息
详情请发邮件至:sale@xfnano.com
中文名称: 机械剥离二氧化硅基底二硫化钨
英文名称:Mechanical exfoliation WS2 on SiO2
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化硅
基底尺寸:10 mmx10 mm
WS2面积:>10 μm2
应用
先丰纳米最新推出机械剥离制备的二硫化钨,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离二氧化硅基底二硫化钨
¥3500









